ประสิทธิภาพอันทรงพลังด้วย IRFP450 Mosfet

ข้อดีและข้อเสียของการซื้อ IRFP450 สำหรับโครงการอิเล็กทรอนิกส์ของคุณ

หากคุณกำลังมองหา Mosfet อันทรงพลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพให้กับโครงการอิเล็กทรอนิกส์ของคุณ IRFP450 เป็นตัวเลือกที่ยอดเยี่ยมในฐานะผู้เชี่ยวชาญด้าน SEO และผู้ขายที่มีประสบการณ์ในด้านอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ฉันสามารถยืนยันถึงคุณภาพและความน่าเชื่อถือสูงของส่วนประกอบนี้ได้

ข้อดี:

- ความสามารถในการจัดการพลังงานสูงสำหรับโครงการขนาดใหญ่

- ความต้านทานต่ำสำหรับการไหลของพลังงานที่มีประสิทธิภาพ

- ช่วงแรงดันไฟฟ้าที่ใช้งานได้กว้างสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย

- โครงสร้างที่แข็งแกร่งและทนทานเพื่อประสิทธิภาพที่ยาวนาน

ข้อเสีย:

- ต้องการการระบายความร้อนที่เหมาะสมเพื่อการจัดการความร้อนที่ดีที่สุด

- อาจไม่เหมาะสำหรับการใช้งานที่ใช้พลังงานต่ำเนื่องจากความต้องการไฟฟ้าแรงสูง

โดยสรุป IRFP450 เป็น Mosfet ระดับแนวหน้าที่ให้ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือที่ยอดเยี่ยมการจัดการพลังงานสูงและโครงสร้างที่แข็งแกร่งทำให้เป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับโครงการอิเล็กทรอนิกส์ที่ต้องการความต้องการสูงด้วยการระบายความร้อนและการจัดการแรงดันไฟฟ้าที่เหมาะสม ส่วนประกอบนี้สามารถช่วยยกระดับโครงการของคุณไปสู่ระดับใหม่ของความสามารถและประสิทธิภาพ

คุณสมบัติทางเทคนิค:

• เทคโนโลยี: ศรี
• สไตล์การติดตั้ง: ผ่านรู
• หีบห่อ / กล่อง: TO-247-3
• ขั้วทรานซิสเตอร์: N-Channel
• จำนวนช่อง: 1 ช่อง
• Vds - แรงดันพังทลายของ Drain-Source: 500 V
• รหัส - กระแสเดรนต่อเนื่อง: 14 A
• เปิด - ความต้านทานเดรน-ซอร์ส: 400 mOhms
• Vgs - แรงดันเกต-ซอร์ส: - 20 V, + 20 V
• อุณหภูมิใช้งานต่ำสุด: - 65 องศาเซลเซียส
• อุณหภูมิใช้งานสูงสุด : + 150 C
• Pd - กำลังไฟ : 190 W
• โหมดช่อง: การปรับปรุง
• ซีรี่ส์: IRFP450
• บรรจุภัณฑ์: หลอด
• ยี่ห้อ: STMicroelectronics
• การกำหนดค่า: เดี่ยว
• เวลาตก: 30 ns
• ความสูง : 20.15 มม
• ความยาว : 15.75 มม
• ประเภทสินค้า: มอสเฟต
• เวลาที่เพิ่มขึ้น: 23 ns