ส่งข้อความ
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > โมดูลทรานซิสเตอร์ IGBT > โมดูลทรานซิสเตอร์ IGBT ซิลิคอน N Channel อเนกประสงค์ GT60M303

โมดูลทรานซิสเตอร์ IGBT ซิลิคอน N Channel อเนกประสงค์ GT60M303

ประเภท:
โมดูลทรานซิสเตอร์ IGBT
มีสินค้า:
ในคลัง
ราคา:
Negotiable
รายละเอียด
ส่วนจำนวน:
GT60M303
ยี่ห้อ:
โตชิบา
พิมพ์:
ฉนวนเกทไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์
ช่อง:
N-ช่อง
เงื่อนไข:
ใหม่
ราคา:
Consult us
เน้น:

โมดูลทรานซิสเตอร์ซิลิคอน IGBT

,

โมดูลทรานซิสเตอร์ IGBT ช่อง N

,

GT60M303

การแนะนำ

สัมผัสประสิทธิภาพที่ไม่มีใครเทียบได้กับโน้ตบุ๊กสำหรับเล่นเกม GT60M303

ข้อดีและข้อเสียของ GT60M303

 

บทวิจารณ์ที่ครอบคลุม หากคุณอยู่ในตลาดแล็ปท็อปสำหรับเล่นเกมประสิทธิภาพสูง GT60M303 คือหนึ่งในตัวเลือกที่ดีที่สุดด้วยเทคโนโลยีที่ล้ำสมัยและการออกแบบที่เพรียวบาง แล็ปท็อปเครื่องนี้มีจุดมุ่งหมายเพื่อยกระดับประสบการณ์การเล่นเกมของคุณไปอีกขั้น

 

ข้อดี:

- ประสิทธิภาพที่ไม่มีใครเทียบ: มาพร้อมกับโปรเซสเซอร์ Intel Core i7 อันทรงพลัง, RAM 16GB และกราฟิก NVIDIA GeForce, GT60M303 สามารถจัดการกับเกมและแอพพลิเคชั่นที่ต้องการมากที่สุดได้อย่างง่ายดาย

- ภาพที่ได้รับการปรับปรุง: จอแสดงผล Full HD ขนาด 15.6 นิ้วมีอัตราการรีเฟรช 120Hz และเวลาตอบสนอง 3ms ให้ภาพที่น่าทึ่งและลดความล่าช้าเพื่อประสบการณ์การเล่นเกมที่ดีที่สุด

- ตัวเลือกการเชื่อมต่อที่หลากหลาย: แล็ปท็อปเครื่องนี้มีพอร์ตที่หลากหลาย รวมถึง USB-C, HDMI และ Thunderbolt ช่วยให้สามารถเชื่อมต่อกับอุปกรณ์ภายนอก เช่น จอภาพ คีย์บอร์ด และเมาส์ได้อย่างราบรื่น

 

จุดด้อย:

- อายุการใช้งานแบตเตอรี่จำกัด: อายุการใช้งานแบตเตอรี่ของ GT60M303 ค่อนข้างสั้น ใช้งานได้ต่อเนื่องประมาณ 3 ชั่วโมงเท่านั้น

- น้ำหนักมาก: ด้วยน้ำหนักเพียง 6.2 ปอนด์ แล็ปท็อปเครื่องนี้อาจไม่ใช่ตัวเลือกที่พกพาสะดวกที่สุดสำหรับการเล่นเกมในขณะเดินทาง

 

โดยสรุปแล้ว GT60M303 เป็นแล็ปท็อปสำหรับเล่นเกมที่น่าประทับใจอย่างยิ่ง ซึ่งให้ประสิทธิภาพที่ไม่มีใครเทียบได้และภาพที่สวยงามน่าทึ่งอย่างไรก็ตาม อาจไม่ใช่ตัวเลือกแบบพกพาหรือใช้งานได้ยาวนานที่สุดหากคุณกำลังมองหาแล็ปท็อปสำหรับเล่นเกมประสิทธิภาพสูงที่ให้ทั้งประสิทธิภาพและการพกพา GT60M303 เป็นตัวเลือกที่ยอดเยี่ยม

 

รายละเอียดทางเทคนิค:

  • อุณหภูมิใช้งานต่ำสุด -55 องศาเซลเซียส
  • อุณหภูมิใช้งานสูงสุด +150 C
  • รูปแบบการติดตั้งผ่านรู
  • กระแสสะสมต่อเนื่อง Ic สูงสุด 60 A
  • แรงดันอิมิตเตอร์เกตสูงสุด 25 V
  • สูง 26 มม
  • แพ็คเกจ TO-3P(LH)-3
  • แรงดันคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ VCEO สูงสุด 900 V
  • ยาว 20.5 MM
  • กว้าง 5.2 มม
ส่ง RFQ
คลังสินค้า:
In Stock
MOQ:
1